上汽大众完成碳化硅“三合一”电桥试制 未来将搭载ID.4 X
2022年01月07日 07:13:54
来源：易车
易车讯 近日，上汽大众官方宣布完成碳化硅“三合一”电桥试制，未来将搭载在ID.4 X车型上。这项技术将有效提升车辆的续航水平。
碳化硅（Silicon Carbide, 缩写为SiC）是行业内公认的下一代电驱动产品的核心技术之一。凭借碳化硅材料本身高效、高频、高温的特性，碳化硅技术能够使电驱动系统效率更高，损耗更低，重量更轻，结构更紧凑。
上汽大众驱动系统部门在2021年3月正式立项，开发一款MEB平台的碳化硅“三合一”电桥产品。项目组在完成碳化硅材料和功率模块调研后，决定与国内领先的碳化硅功率半导体模块供应商“臻驱科技”合作，加快开发进程。6月底，项目组完成了碳化硅电控部分的产品设计和开发。7-11月，项目组在公司内部台架上独立完成了碳化硅 “三合一”电桥的集成试制和测试。12月，经过数月的测试、迭代和验证，该产品亮相“上汽大众预研技术展示日”。
根据台架测试结果，这一款大众品牌首套碳化硅电桥电驱产品不仅匹配MEB平台各方面的严格技术需求，而且效率对比目前电驱产品有了全方面提升。
其中，碳化硅电控的最高效率达到99.9%，未来搭载碳化硅技术的ID.4 X车型可以提升4.5%续航里程。这款碳化硅电桥在能耗方面每百公里节省了0.645 度电，而在EMC方面的测试结果也不逊色，很多分项成绩甚至实现了反超。
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