【网通社快报】研究人员开发新方法精确检测半导体原子级缺陷
下载客户端
独家抢先看
独家抢先看
桑迪亚国家实验室与奥本大学的研究人员开发出一种新方法，可更精确地检测电子材料中的原子级缺陷。该方法聚焦于半导体与绝缘层界面处的微观缺陷，这些缺陷会捕获电荷，在器件表面运行正常的情况下仍导致性能下降，从而限制效率、增加电损耗并影响先进半导体器件的整体表现。相关研究成果已发表于《JournalofAppliedPhysics》，旨在解决长期以来在研究该界面现象方面存在的技术难题。此项进展有望应用于电动汽车和高功率电子产品等领域，提升相关技术性能。
“特别声明：以上作品内容(包括在内的视频、图片或音频)为凤凰网旗下自媒体平台“大风号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储空间服务。
Notice: The content above (including the videos, pictures and audios if any) is uploaded and posted by the user of Dafeng Hao, which is a social media platform and merely provides information storage space services.”
