韩国科学技术院（KAIST）电气工程学院和半导体技术研究生院的ShinhyunChoi教授团队开发出一种可编程动态忆阻晶体管（PDM），其时间响应特性可调整为多种状态并保持。该器件结合电荷存储层和电子捕获层，可在处理数据的同时保留先前信息，并将电流恢复时间调整约5倍、特征频率调整10倍以上。在预测快速与缓慢变化混合数据时，PDM相较传统固定响应半导体器件将预测误差降低高达40倍。研究团队已制造PDM阵列，验证其预测精度与传统软件系统相当，但能耗更低。该器件采用与商用半导体工艺兼容的材料，具备大规模生产潜力。
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