【网通社快报】名古屋大学开发出新型低电阻p型氮化镓触点
名古屋大学材料与系统可持续发展研究所的王海涛和王佳领导的研究团队开发出一种降低p型氮化镓（GaN）接触电阻的新方法。该方法在p-GaN表面沉积一层超薄镁层，并在600°C下进行5分钟热处理，实现了(1–3)×10⁻⁴Ωcm²的接触电阻，为目前报道的薄型p型GaN器件中最低之一。该工艺通过“软退火”使镁扩散至p-GaN表面区域，形成超高浓度掺杂层，缩小接触耗尽区并促进空穴隧穿。该技术无需盖层，处理后表面更光滑，且可应用于器件加工完成后，与现有制造工艺兼容。相关成果已发表于《应用物理快报》，研究团队正将其应用于电动汽车中的LED和晶体管等器件。
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