【网通社快报】长飞先进在深圳召开技术发布会 发布车规主驱及AI数据中心碳化硅产品

10月15日，长飞先进技术发布会在深圳召开。会上，长飞先进面向车规主驱市场发布了自主研发的SiCMOSFET系列芯片及DeepXETM嵌入式PCB功率模块，并针对AI数据中心领域发布了基于量产芯片PG4E的单管系列及EZ2C/3C模块家族。此次发布的SiCMOSFET系列芯片Rsp为1.7~2.2mΩ.cm2，适配700V、800V、900V高压系统，通过了AEC-Q101标准下全套可靠性测试及强化寿命与环境试验条件3000h验证。DeepXETM嵌入式产品采用基于Cavity-FreeAMB内嵌单元的PCB叠构方案、功率半导体芯片表面金属化与关键界面互联工艺，以及电热磁力多物理场约束下的芯片排布与功率路径3D构建。相较传统封装形式，该产品电流密度提升20%，热阻Rth降低15%，杂散电感降低75%至0.9nH，体积和重量降低50%，整体开关损耗降低20%。在AI数据中心领域，PG4E单管系列包含750V及1200V产品。EZ2C/3CSiC功率模块采用扩散焊工艺，相较传统锡焊片工艺，EZ2C的节壳热阻降低18%，满载时芯片节温降低25°C以上。EZ家族全系采用耐高温材料体系，支持SiC200°C以上的工作温度。EZ3C集成了SHB三电平拓扑。此外，长飞先进在本次发布会上同步推出了覆盖消费电子与工业应用的全系列产品，并发布了沟槽技术平台。