【网通社快报】英飞凌宣布开发出基于300mm碳化硅晶圆的功能性功率器件

2026年11月10日，英飞凌宣布成功开发出业界首款基于300mm碳化硅晶圆制造的功能性功率器件。英飞凌在奥地利菲拉赫工厂依托现有硅制造设备完成300mm碳化硅晶圆的加工，同时在德国德累斯顿工厂验证了冷切割技术适配300mm碳化硅晶圆的可行性。英飞凌成为全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一突破的企业。该功率器件依托300mm碳化硅晶圆制造，相较于传统200mm晶圆，单片晶圆的芯片产出量可达后者的2.3倍。搭配冷切割工艺可减少材料损耗、缩短加工时长，并降低生产端的资本支出。该技术成果可适配牵引逆变器、车载充电器、大型储能系统、工业传动装置、数据中心供电单元等场景，应用于汽车、可再生能源、工业及AI数据中心等领域。英飞凌目前已掌握硅、碳化硅、氮化镓三类半导体材料的300mm晶圆技术。后续英飞凌将在2026年慕尼黑electronica展会上首次向公众展示首片完成加工的300mm碳化硅晶圆。